MOSFET onsemi FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F de 3 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-3369Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCPF165N65S3L1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO220F

Serie

SuperFET III

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

15.7mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET onsemi FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F de 3 pines, 2elementos, config. Simple

50

Disponible en múltiplos de 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

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N

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Serie

SuperFET III

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Ancho

4.6mm

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2

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

15.7mm

Temperatura Mínima de Operación

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