MOSFET onsemi FCP16N60N, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 145-5392Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCP16N60N
brand-logo
Ver todo de MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

199 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

134,4 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40,2 nC a 10 V

Altura

9.4mm

Serie

SupreMOS

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor

Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 5.910

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 7.032,90

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi FCP16N60N, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

$ 5.910

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 7.032,90

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi FCP16N60N, VDSS 600 V, ID 16 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Volver a intentar más tarde

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
50 - 50$ 5.910$ 295.500
100+$ 5.615$ 280.750

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

-16 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

199 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

134,4 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40,2 nC a 10 V

Altura

9.4mm

Serie

SupreMOS

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor

Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.