Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
154 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
16.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
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$ 2.025
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 2.409,75
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
154 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
39 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.7mm
Número de Elementos por Chip
1
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
16.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China