Dual N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V, 3-Pin TO-247 onsemi FCH040N65S3_F155

Código de producto RS: 146-4096Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCH040N65S3_F155
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Serie

SuperFET III

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

136 a 10 V nC

Altura

21.08mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
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N

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TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

417000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Ancho

5.3mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

16.26mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

136 a 10 V nC

Altura

21.08mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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