MOSFET de canal N,BSS138 0.2A 50V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.5 Ω
Modo de canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
225 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de elementos por chip
1
Altura
0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Largo
2.9mm
Ancho
1.3mm
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Tipo de montaje
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Modo de canal
Mejora
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