Transistor Darlington, BSP52G, NPN 1 A, 80 V, HFE:2000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
Altura
1.75mm
Ancho
3.7mm
Dimensiones del Cuerpo
6.7 x 3.7 x 1.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
50
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Tensión Máxima Colector-Emisor
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
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3 + Tab
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
2000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
90 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
Altura
1.75mm
Ancho
3.7mm
Dimensiones del Cuerpo
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