Par Darlington, BSP50, NPN 800 mA, 45 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
50nA
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
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1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
50nA
Altura
1.6mm
Profundidad
3.5mm
Dimensiones del Cuerpo
6.5 x 3.5 x 1.6mm
Disipación de Potencia Máxima
1000 mW
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
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Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
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