Transistor MOSFET onsemi BS170G, VDSS 60 V, ID 500 mA, TO-92 de 3 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

500 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

TO-92

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5.2mm

Anchura

4.19mm

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

5.33mm