MOSFET onsemi 3LN01C-TB-E, VDSS 30 V, ID 150 mA, CP de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
CP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
1.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,58 nC a 10 V
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
CP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Ancho
1.5mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,58 nC a 10 V
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos