JFET, 2SK3666-3-TB-E, N-Canal, 30 V, Único, CP, 3-Pines Simple

Name: JFET, 2SK3666-3-TB-E, N-Canal, 30 V, Único, CP, 3-Pines Simple
Brand: ON Semiconductor
SKU: 7925161

Código de producto RS: 792-5161Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: 2SK3666-3-TB-E

Ver todo de JFET

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.2 to 3mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

4pF

Capacidad Fuente-Puerta

1.1pF

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Altura

1.1mm

Ancho

1.5mm

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

JFET, 2SK3666-3-TB-E, N-Canal, 30 V, Único, CP, 3-Pines Simple

Seleccionar tipo de embalaje

P.O.A.

JFET, 2SK3666-3-TB-E, N-Canal, 30 V, Único, CP, 3-Pines Simple

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.2 to 3mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

200 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

4pF

Capacidad Fuente-Puerta

1.1pF

Dimensiones del Cuerpo

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Altura

1.1mm

Ancho

1.5mm

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.