Diodo, 1N4007G, 1A, 1000V Conexión de silicio, DO-41, 2-Pines 1.1V, Conexión de silicio
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
DO-41
Corriente Continua Máxima Directa
1A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
1000V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
2
Caída de tensión directa máxima
1.1V
Número de elementos por chip
1
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Diámetro
2.7mm
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
30A
País de Origen
China
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