Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
MCPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
600 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
450 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
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ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
MCPH
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
600 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
450 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
2 x 1.6 x 0.85mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores PNP de pequeña señal, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.