JFET, PMBFJ308,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 626-3308PMarca: NXPNúmero de parte de fabricante: PMBFJ308,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 60mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

-25V

Configuración de transistor

Single

Configuración

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 Ω

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Número de pines

3

Dimensiones

3 x 1.4 x 1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Altura

1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3mm

Anchura

1.4mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

JFET, PMBFJ308,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
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N

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12 to 60mA

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25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

-25V

Configuración de transistor

Single

Configuración

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 Ω

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Número de pines

3

Dimensiones

3 x 1.4 x 1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Altura

1mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3mm

Anchura

1.4mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

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