Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 146
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 173,74
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 40 | $ 146 | $ 1.460 |
50 - 90 | $ 133 | $ 1.330 |
100 - 240 | $ 124 | $ 1.240 |
250 - 490 | $ 118 | $ 1.180 |
500+ | $ 102 | $ 1.020 |
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.