JFET, PMBFJ308,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 626-3308Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: PMBFJ308,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 60mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

-25V

Configuración de transistor

Single

Configuración

Single

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Largo

3mm

Profundidad

1.4mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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$ 1.580

$ 158 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.880

$ 188,02 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 158$ 1.580
50 - 90$ 143$ 1.430
100 - 240$ 134$ 1.340
250 - 490$ 128$ 1.280
500+$ 110$ 1.100

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N

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

-25V

Configuración de transistor

Single

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Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 Ω

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Largo

3mm

Profundidad

1.4mm

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