Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-25V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 1.580
$ 158 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 1.880
$ 188,02 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
$ 1.580
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$ 1.880
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10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 158 | $ 1.580 |
| 50 - 90 | $ 143 | $ 1.430 |
| 100 - 240 | $ 134 | $ 1.340 |
| 250 - 490 | $ 128 | $ 1.280 |
| 500+ | $ 110 | $ 1.100 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
12 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-25V
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Largo
3mm
Profundidad
1.4mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.


