Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
120000 mW
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.3mm
Anchura
4.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, NXP
MOSFET Transistors, NXP
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
5
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
52 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
120000 mW
Carga Típica de Puerta @ Vgs
36 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Largo
10.3mm
Anchura
4.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto


