Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.3mm
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
98 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.3mm
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
9.4mm
Datos del producto


