MOSFET NXP BUK9575-100A,127, VDSS 100 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 484-2915Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: BUK9575-100A,127
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

72 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

98 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.3mm

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

9.4mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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NXP

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N

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

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TO-220AB

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

72 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

98 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.3mm

Ancho

4.7mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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