Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO 236AB, TO-236AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
75 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
P.O.A.
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
800 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
40 V
Tipo de Encapsulado
TO 236AB, TO-236AB
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
75 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
300 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
1 x 3 x 1.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC


