Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
35 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-143B
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
6.000 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores bipolares RF, NXP
Bipolar Transistors, NXP
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
35 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
12 V
Tipo de Encapsulado
SOT-143B
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
15 V
Tensión Máxima Emisor-Base
2 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
6.000 MHz
Conteo de Pines
4
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
País de Origen
China
Datos del producto