JFET, BF861C,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 626-2412PMarca: NXPNúmero de parte de fabricante: BF861C,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

12 to 25mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+25 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

25V

Configuración de transistor

Single

Configuración

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Largo

3mm

Profundidad

1.4mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

JFET, BF861C,215, N-Canal, 25 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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25 V

Tensión Máxima Puerta-Fuente

+25 V

Tensión Máxima Puerta-Drenador

25V

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Single

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Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Largo

3mm

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