JFET, BF513,215, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Código de producto RS: 166-0536Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: BF513,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

10 to 18mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

20V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

3mm

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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P.O.A.

JFET, BF513,215, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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N

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Maximum Drain Gate Voltage

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Transistor Configuration

Single

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Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

3

Dimensiones del Cuerpo

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

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