JFET, BF510,215, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

Name: JFET, BF510,215, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple
Brand: NXP
SKU: 1660535

Código de producto RS: 166-0535Marca: NXPNúmero de parte de fabricante: BF510,215

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

NXP

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.7 to 3.0mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

20V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

Dimensiones

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-65 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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JFET, BF510,215, N-Canal, 20 V, Único, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines Simple

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NXP

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

0.7 to 3.0mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

20V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Conteo de Pines

Dimensiones

3 x 1.4 x 1mm

Altura

1mm

Ancho

1.4mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-65 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.