Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-236AB
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Estándar
1
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1
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Especificaciones
Brand
NXPTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-236AB
Tipo de Montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
80 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
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+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
1 x 3 x 1.4mm


