MOSFET Nexperia PSMN7R0-60YS,115, VDSS 60 V, ID 89 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 798-3028Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PSMN7R0-60YS,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Ancho

4.1mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 1.920

Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 2.284,80

Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

89 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

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Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Ancho

4.1mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

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