MOSFET Nexperia PMXB56ENZ, VDSS 30 V, ID 3,2 A, DFN1010D-3 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DFN1010D-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
87 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
8.33 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Longitud:
1.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Profundidad
1.05mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.36mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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$ 133
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
$ 158,27
Each (On a Reel of 5000) (IVA Incluido)
5000
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N
Maximum Continuous Drain Current
3.2 A
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DFN1010D-3
Tipo de montaje
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4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
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8.33 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Longitud:
1.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,6 nC a 10 V
Profundidad
1.05mm
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1
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