MOSFET Nexperia PMV16XNR, VDSS 20 V, ID 8,6 A, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PMV16XN
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.94 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
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$ 297.000
$ 99 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 353.430
$ 117,81 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.6 A
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Series
PMV16XN
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.94 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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