MOSFET Nexperia PMDXB1200UPEZ, VDSS -30 V, ID -410 mA, DFN1010B-6, SOT1216 de 8 pines, 6elementos

Código de producto RS: 153-0747Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PMDXB1200UPEZ
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

-410 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-30 V

Tipo de Encapsulado

DFN1010B-6, SOT1216

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

-0.45V

Disipación de Potencia Máxima

4030 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

8 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

1.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,7 nC a 4,5 V

Ancho

1.05mm

Número de Elementos por Chip

6

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

0.36mm

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P.O.A.

MOSFET Nexperia PMDXB1200UPEZ, VDSS -30 V, ID -410 mA, DFN1010B-6, SOT1216 de 8 pines, 6elementos

5000

Disponible en múltiplos de 5000
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5,1 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

-0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

-0.45V

Disipación de Potencia Máxima

4030 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

8 V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

1.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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