Transistor, PBSS5160DS,115, PNP -1 A -60 V Dual TSOP, 6 pines, 185 MHz, Aislado

Código de producto RS: 485-408Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PBSS5160DS,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

PNP

Corriente DC Máxima del Colector

-1 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

-60 V

Tipo de Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Base Máxima del Colector

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

185 MHz

Conteo de Pines

6

Número de Elementos por Chip

2

Dimensiones

1 x 3.1 x 1.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Transistores PNP de bajo voltaje de saturación

Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

Bipolar Transistors, Nexperia

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$ 7.460

$ 373 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 8.877

$ 443,87 Each (In a Pack of 20) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 40$ 373$ 7.460
60 - 100$ 290$ 5.800
120 - 220$ 255$ 5.100
240 - 460$ 203$ 4.060
480+$ 178$ 3.560

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Especificaciones

Tipo de Transistor

PNP

Corriente DC Máxima del Colector

-1 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

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Tipo de Encapsulado

TSOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Base Máxima del Colector

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Frecuencia Máxima de Funcionamiento

185 MHz

Conteo de Pines

6

Número de Elementos por Chip

2

Dimensiones

1 x 3.1 x 1.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Datos del producto

Transistores PNP de bajo voltaje de saturación

Una gama de transistores PNP de empalme bipolar NXP BISS (avance en pequeña señal). Estos dispositivos presentan tensiones muy bajas de saturación de colector-emisor y altas capacidades de corriente de colector en encapsulados compactos que permiten ahorrar espacio. Las pérdidas reducidas de estos transistores provocan una generación de calor más baja y un aumento general de la eficiencia cuando se usan en aplicaciones digitales y de conmutación.

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