MOSFET Nexperia NX3008CBKS,115, VDSS 30 V, ID 200 mA, 350 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA, 350 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NX3008CBKS
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω, 4.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
990 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Anchura
1.35mm
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a -4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 222.000
$ 74 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 264.180
$ 88,06 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NX3008CBKS
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 Ω, 4.1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
990 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Anchura
1.35mm
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a -4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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