MOSFET Nexperia BUK9M10-30EX, VDSS 30 V, ID 54 A, LFPAK33, Power33 de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
LFPAK33, Power33
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
15 V
Profundidad
2.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,5 nC a 10 V
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
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P.O.A.
1500
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N
Maximum Continuous Drain Current
54 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
LFPAK33, Power33
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
55000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
15 V
Profundidad
2.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,5 nC a 10 V
Altura
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-55 °C
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