Transistor Darlington, BST62,115, PNP -1 A, 80 V, HFE:1000, SOT-89, 3 pines Simple

Código de producto RS: 165-9993Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BST62,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

PNP

Corriente Máxima Continua del Colector

-1 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

-5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

-1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

-90 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-1.3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

-50nA

Altura

1.6mm

Profundidad

2.6mm

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Dimensiones del Cuerpo

4.6 x 2.6 x 1.6mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

4.6mm

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores Darlington, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

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$ 221

Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

$ 262,99

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PNP

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-1 A

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-5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-89

Tipo de montaje

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3

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Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

-1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

-90 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-1.3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

-50nA

Altura

1.6mm

Profundidad

2.6mm

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Dimensiones del Cuerpo

4.6 x 2.6 x 1.6mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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