Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 129
Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)
$ 153,51
Each (On a Reel of 100) (IVA Incluido)
100
$ 129
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$ 153,51
Each (On a Reel of 100) (IVA Incluido)
100
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
100 - 100 | $ 129 | $ 12.900 |
200 - 400 | $ 101 | $ 10.100 |
500 - 900 | $ 82 | $ 8.200 |
1000 - 1900 | $ 56 | $ 5.600 |
2000+ | $ 53 | $ 5.300 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
50 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
420 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,26 nC a 5 V
Ancho
1.4mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto