MOSFET Nexperia BSS138PW,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-0904Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS138PW,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

310 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 164

Each (On a Reel of 100) (Sin IVA)

$ 195,16

Each (On a Reel of 100) (IVA Incluido)

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 16.400
200$ 28.000
300$ 42.000
400$ 56.000
500$ 63.500
600$ 76.200
700$ 88.900
800$ 101.600
900$ 114.300
1000$ 67.000
1100$ 73.700
1200$ 80.400
1300$ 87.100
1400$ 93.800
1500$ 100.500

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800$ 101.600
900$ 114.300
1000$ 67.000
1100$ 73.700
1200$ 80.400
1300$ 87.100
1400$ 93.800
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Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Rollo
100 - 100$ 164$ 16.400
200 - 400$ 140$ 14.000
500 - 900$ 127$ 12.700
1000 - 1900$ 67$ 6.700
2000+$ 66$ 6.600

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

310 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Ancho

1.35mm

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Si

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