MOSFET Nexperia BSS138PS,115, VDSS 60 V, ID 320 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 792-0901PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS138PS,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

320 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0.72 nC @ 4.5 V

Profundidad

1.35mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFET de canal N doble, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 40.

Producción -

Disponible en múltiplos de 40.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

40

Disponible en múltiplos de 40
40P.O.A.
80P.O.A.
120P.O.A.
160P.O.A.
200P.O.A.
240P.O.A.
280P.O.A.
320P.O.A.
360P.O.A.
400P.O.A.
440P.O.A.
480P.O.A.
520P.O.A.
560P.O.A.
600P.O.A.

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

320 mW

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Isolated

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Material del transistor

Si

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2

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+150 ºC

Longitud

2.2mm

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