MOSFET Nexperia BSS123,215, VDSS 100 V, ID 150 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3mm
Material del transistor
Si
Profundidad
1.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 77
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 91,63
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | $ 77 | $ 231.000 |
| 6000 - 12000 | $ 73 | $ 219.000 |
| 15000 - 27000 | $ 70 | $ 210.000 |
| 30000 - 57000 | $ 64 | $ 192.000 |
| 60000+ | $ 63 | $ 189.000 |
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N
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SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
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1
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+150 ºC
Longitud:
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Material del transistor
Si
Profundidad
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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