MOSFET Nexperia BSS123,215, VDSS 100 V, ID 150 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-0885PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS123,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud

3mm

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, 100 V y superior, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

250 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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3mm

Ancho

1.4mm

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Si

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