Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.00005mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
Altura
1.7mm
Profundidad
3.7mm
Dimensiones
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
País de Origen
China
Datos del producto
Transistores Darlington, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.00005mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud:
6.7mm
Altura
1.7mm
Profundidad
3.7mm
Dimensiones
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Disipación de Potencia Máxima
1,25 W
País de Origen
China
Datos del producto