Transistor Darlington, BSP51,115, NPN 1 A, 60 V, HFE:1000, SOT-223, 3 + Tab pines Simple

Código de producto RS: 725-8467PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSP51,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

1 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

60 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.00005mA

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

6.7mm

Altura

1.7mm

Profundidad

3.7mm

Dimensiones

6.7 x 3.7 x 1.7mm

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

País de Origen

China

Datos del producto

Transistores Darlington, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

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Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

1 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

60 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3 + Tab

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

1000

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

1.9 V

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.00005mA

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65 °C

Temperatura de funcionamiento máxima

+150 ºC

Longitud:

6.7mm

Altura

1.7mm

Profundidad

3.7mm

Dimensiones

6.7 x 3.7 x 1.7mm

Disipación de Potencia Máxima

1,25 W

País de Origen

China

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