Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-45 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm
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P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-45 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
3 x 1.4 x 1mm