Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Common Anode
Tipo de Producto
Diodo de conmutación
Corriente directa máxima lf
215mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Número de pines
3
Disipación de potencia máxima Pd
250mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
90V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
1mm
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAW56
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
200
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Common Anode
Tipo de Producto
Diodo de conmutación
Corriente directa máxima lf
215mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOT-23 (TO-236AB)
Número de pines
3
Disipación de potencia máxima Pd
250mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
90V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
1mm
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAW56
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


