Diodo de conmutación, BAV756S,115, 250mA, 90V Conexión de silicio, SOT-363 (SC-88), 6-Pines 855mV

Código de producto RS: 865-2084PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BAV756S,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Configuración de diodo

Par de ánodo común + Par de cátodo común

Corriente Máxima Directa

250mA

Número de Elementos por Chip

4

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tensión Inversa Máxima

90V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-88)

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Conteo de Pines

6

Caída de tensión directa máxima

855mV

Capacitancia Máxima del Diodo

2pF

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-65 °C

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Largo

2.2mm

Ancho

1.35mm

Altura

1.1mm

Dimensiones del Cuerpo

2.2 x 1.35 x 1.1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia

Características

Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia

Diodes and Rectifiers

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

Diodo de conmutación, BAV756S,115, 250mA, 90V Conexión de silicio, SOT-363 (SC-88), 6-Pines 855mV
Seleccionar tipo de embalaje

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4

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tensión Inversa Máxima

90V

Tipo de Encapsulado

SOT-363 (SC-88)

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Conteo de Pines

6

Caída de tensión directa máxima

855mV

Capacitancia Máxima del Diodo

2pF

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-65 °C

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Largo

2.2mm

Ancho

1.35mm

Altura

1.1mm

Dimensiones del Cuerpo

2.2 x 1.35 x 1.1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia

Características

Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
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