Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Par de ánodo común + Par de cátodo común
Corriente Máxima Directa
250mA
Número de Elementos por Chip
4
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
90V
Tipo de Encapsulado
SOT-363 (SC-88)
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
6
Caída de tensión directa máxima
855mV
Capacitancia Máxima del Diodo
2pF
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
2.2mm
Ancho
1.35mm
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
150
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
150
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Par de ánodo común + Par de cátodo común
Corriente Máxima Directa
250mA
Número de Elementos por Chip
4
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tensión Inversa Máxima
90V
Tipo de Encapsulado
SOT-363 (SC-88)
Tecnología de diodo
Silicon Junction
Conteo de Pines
6
Caída de tensión directa máxima
855mV
Capacitancia Máxima del Diodo
2pF
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Largo
2.2mm
Ancho
1.35mm
Altura
1.1mm
Dimensiones del Cuerpo
2.2 x 1.35 x 1.1mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


