Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Cátodo común
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
175mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SC-70
Número de pines
3
Disipación de potencia máxima Pd
200mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
100V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Profundidad
1.35 mm
Altura
1mm
Longitud
2.2mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
BAV70
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Cátodo común
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
175mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SC-70
Número de pines
3
Disipación de potencia máxima Pd
200mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
100V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Profundidad
1.35 mm
Altura
1mm
Longitud
2.2mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
BAV70
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


