Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
225mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Número de pines
3
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
200V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
9A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Series
BAV23A
Ancho
1.4 mm
Altura
1.1mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
225mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOT-23
Número de pines
3
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
200V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Disipación de potencia máxima Pd
350mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
50ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
9A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud:
3mm
Certificaciones y estándares
No
Series
BAV23A
Ancho
1.4 mm
Altura
1.1mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


