Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Single
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
200mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
MiniMELF
Número de pines
2
Disipación de potencia máxima Pd
250mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
75V
Tensión directa máxima Vf
1V
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Altura
1.6mm
Longitud
3.7mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS32L
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
$ 55.000
$ 22 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 65.450
$ 26,18 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 55.000
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$ 65.450
$ 26,18 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
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Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Single
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
200mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
MiniMELF
Número de pines
2
Disipación de potencia máxima Pd
250mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
75V
Tensión directa máxima Vf
1V
Temperatura Máxima de Operación
200°C
Altura
1.6mm
Longitud
3.7mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS32L
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


