Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Common Anode
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
225mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SC-70
Número de pines
3
Disipación de potencia máxima Pd
200mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
2.5A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
250V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
1.1mm
Longitud
2.2mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS21
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
75
P.O.A.
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Empaque de Producción (Rollo)
75
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Common Anode
Tipo de producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
225mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de soporte
Surface
Encapsulado
SC-70
Número de pines
3
Disipación de potencia máxima Pd
200mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
2.5A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
250V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Altura
1.1mm
Longitud
2.2mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS21
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


