Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
225mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SC-70
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
2.5A
Disipación de potencia máxima Pd
200mW
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
250V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.35 mm
Altura
1.1mm
Longitud:
2.2mm
Certificaciones y estándares
No
Series
BAS21
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
$ 402.000
$ 134 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 478.380
$ 159,46 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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$ 478.380
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3000
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Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Ánodo común
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
225mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SC-70
Número de pines
3
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
2.5A
Disipación de potencia máxima Pd
200mW
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
250V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
1.35 mm
Altura
1.1mm
Longitud:
2.2mm
Certificaciones y estándares
No
Series
BAS21
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


