Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
215mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOD-882
Número de pines
2
Disipación de potencia máxima Pd
250mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
100V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
0.4mm
Longitud:
1.05mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS16LD
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
80
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
80
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
215mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOD-882
Número de pines
2
Disipación de potencia máxima Pd
250mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
100V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
0.4mm
Longitud:
1.05mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS16LD
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia


