Nexperia Conexión de silicio Simple, BAS16H,115, 215 mA, SOD-123 100 V, 2 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
215mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOD-123
Número de pines
2
Disipación de potencia máxima Pd
380mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
100V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Altura
1.2mm
Longitud:
2.7mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS16
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
Baja capacitancia
Diodes and Rectifiers
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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NexperiaConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Silicon Junction
Corriente directa máxima lf
215mA
Tipo Sub
Silicon Junction
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOD-123
Número de pines
2
Disipación de potencia máxima Pd
380mW
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
4ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
4A
Tensión repetitiva inversa de pico máxima Vrrm
100V
Tensión directa máxima Vf
1.25V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
150°C
Altura
1.2mm
Longitud:
2.7mm
Certificaciones y estándares
No
Serie
BAS16
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
Diodos de conmutación de señal pequeña, Nexperia
Características
Compatible con diseños de circuitos de alta densidad personalizados
Tipos de bajo nivel de fuga y alta tensión disponibles
Velocidades de conmutación alta
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