MOSFET Nexperia 2N7002PW,115, VDSS 60 V, ID 310 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-5348PMarca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: 2N7002PW,115
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

260 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 2,5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, 60 V a 80 V, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

260 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 2,5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

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